ลอนดอน, 22 มิถุนายน (อาร์กัส) - ความต้องการเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์อินเดียมฟอสไฟด์ (InP) ที่จำเป็นสำหรับโฟโตนิกส์ของศูนย์ข้อมูล AI ได้เพิ่มสูงขึ้น ส่งผลให้บริษัทต่างๆ ลงทุนในกำลังการผลิตใหม่เพื่อบรรเทาปัญหาการขาดแคลนอุปทาน
กระทรวงพาณิชย์ของสหรัฐอเมริกาได้ลงนามข้อตกลงเบื้องต้นภายใต้ "พระราชบัญญัติชิปและวิทยาศาสตร์" เพื่อจัดหาเงินทุนโดยตรงสูงสุด 50 ล้านดอลลาร์สหรัฐให้กับบริษัท Coherent ผู้ผลิตวัสดุด้านการมองเห็นของสหรัฐอเมริกา เงินจำนวนนี้จะนำไปใช้ในการขยายโรงงานของบริษัทในเมืองเชอร์แมน รัฐเท็กซัส - ซึ่งบริษัทอ้างว่านี่คือฐานการผลิตเซมิคอนดักเตอร์อินเดียมฟอสไฟด์ขนาดใหญ่แห่งแรกและใหญ่ที่สุดในโลก-ขนาด 150 มิลลิเมตร (6 นิ้ว)
Coherent ระบุเมื่อเดือนที่แล้วว่า "เนื่องจากสภาพแวดล้อมที่มีความต้องการสูงเป็นพิเศษและกำลังการผลิตอินเดียมฟอสไฟด์ที่จำกัดทั่วทั้งอุตสาหกรรม" การขยายการผลิตถือเป็นหนึ่งในลำดับความสำคัญสูงสุดของบริษัท
บริษัทวางแผนที่จะเพิ่มกำลังการผลิตเวเฟอร์อินเดียมฟอสไฟด์เป็นสองเท่าในเท็กซัสภายในสิ้นปี 2569 และเพิ่มเป็นสองเท่าภายในสิ้นปี 2570 นอกจากนี้ อัตราผลผลิตของสายการผลิตขนาด 6 นิ้ว (15.2 ซม.) ยังสูงกว่าอัตราการผลิตของสายการผลิตขนาด 4 นิ้วอีกด้วย
Jim Anderson ซีอีโอของ Coherent กล่าวว่าการเปลี่ยนไปใช้ฟอสฟอรัสฟอสฟอรัสขนาด 6- นิ้ว-ที่เจือด้วยอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์เป็นแรงผลักดันหลักที่อยู่เบื้องหลังแผนการขยายธุรกิจในระยะยาวของบริษัท Coherent ได้ส่งมอบตัวรับส่งสัญญาณโมดูลออปติคัลชุดแรกโดยใช้ส่วนประกอบจากสายการผลิตขนาด 6 นิ้วในไตรมาสแรกแล้ว
Nvidia ผู้นำด้าน AI ลงทุน 2 พันล้านดอลลาร์สหรัฐใน Coherent ในเดือนมีนาคมปีนี้ และลงนามข้อตกลงการจัดหาซึ่งจะคงอยู่จนถึงสิ้นทศวรรษนี้ สิ่งนี้สะท้อนให้เห็นว่าผู้ผลิตอุปกรณ์ขั้นปลายกำลังลงนามในสัญญาระยะยาว-กันมากขึ้น เพื่อรับรองความปลอดภัยในการจัดหาส่วนประกอบที่เกี่ยวข้องกับอินเดียมฟอสไฟด์-
อุปกรณ์โฟโตนิกของอินเดียมฟอสไฟด์สามารถเปิดใช้งานการเชื่อมต่อเชิงแสงความเร็วสูง-ระหว่างโปรเซสเซอร์ หน่วยความจำ และระบบภายในศูนย์ข้อมูล AI ในขณะที่ปริมาณงาน AI ยังคงขยายตัว ส่วนประกอบเหล่านี้มีความสำคัญมากขึ้นเรื่อยๆ ในการทำลายปัญหาคอขวดในการเชื่อมต่อข้อมูล และสร้างสถาปัตยกรรมการประมวลผลที่มีประสิทธิภาพและประหยัดพลังงานมากขึ้น-
Coherent ระบุว่าโรงงานในเท็กซัสจะมีบทบาทสำคัญในการเพิ่มการผลิตโมดูลส่วนประกอบเลเซอร์ รวมถึงผลิตภัณฑ์ที่ร่วมมือกับ NVIDIA เมื่อพิจารณาจากความก้าวหน้าที่ราบรื่นของการขยายสายการผลิตขนาด 6 นิ้ว บริษัทยังวางแผนที่จะเปิดตัวการผลิตอินเดียมฟอสไฟด์ขนาด 6 นิ้วที่โรงงานผลิตแห่งที่สามในเมืองซูริก ประเทศสวิตเซอร์แลนด์
ผู้ผลิตในเอเชีย-ภูมิภาคแปซิฟิกก็กำลังเผชิญกับปัญหาการขาดแคลนอุปทานเช่นกัน บริษัท JX Advanced Metals ของญี่ปุ่นวางแผนที่จะลงทุนสูงถึง 120 พันล้านเยน (ประมาณ 744.1 ล้านดอลลาร์สหรัฐ) ในอีกสี่ปีข้างหน้า เพื่อเพิ่มกำลังการผลิตสารตั้งต้นของอินเดียมฟอสไฟด์ ซึ่งเพิ่มขึ้นอย่างมากจากแผน 3 หมื่นล้านเยนที่ประกาศไว้ก่อนหน้านี้
นอกเหนือจากการขยายกำลังการผลิตที่ Isohara Works ในเมือง Nishi-Tsukui แล้ว JX ยังวางแผนที่จะสร้างกำลังการผลิตใหม่ในเมือง Hitachinaka อีกด้วย เป้าหมายคือการเพิ่มกำลังการผลิตซับสเตรตฟอสฟอรีนอินเดียมเป็น 7 ถึง 10 เท่าของระดับปัจจุบัน
ปัจจุบัน JX กำลังเจรจาเรื่องการปรับราคากับลูกค้า โดยมีเป้าหมายเพื่อสร้างกรอบการจัดหาที่มั่นคง
ในขณะที่ลูกค้าเริ่มจัดหาวัตถุดิบ AXT (American Crystal Technology Company) ระบุว่าบริษัทในเครือ Beijing Tongmei Xtal Technology ได้ลงนามข้อตกลงกับ Nanjing Casela Technologies เพื่อจัดหาซับสเตรตอินเดียมฟอสไฟด์ตลอดทั้งปี 2570 เมื่อเร็ว ๆ นี้ AXT ชี้ต่อสาธารณะว่าข้อจำกัดของรัฐบาลในการส่งออกอินเดียมฟอสไฟด์ได้ทำให้อุปทานในตลาดขาดแคลนรุนแรงขึ้น
Casela มุ่งมั่นที่จะซื้อเวเฟอร์ซับสเตรตของอินเดียมฟอสไฟด์ตามปริมาณที่กำหนด ซึ่งมีมูลค่ารวม 173 ล้านหยวน (ประมาณ 25.4 ล้านดอลลาร์สหรัฐ) โดยจะจัดส่งเป็นรายเดือน ตามข้อตกลงที่ลงนามเมื่อวันที่ 11 มิถุนายน Casela จะต้องชำระเงินมัดจำ 50% ของราคาทั้งหมดภายใน 15 วันทำการหลังจากลงนามในสัญญา และอีก 50% ที่เหลือจะต้องชำระภายในวันที่ 31 ธันวาคมหรือก่อนหน้านั้น
Casela สามารถเพิ่มปริมาณการซื้อได้อย่างยืดหยุ่นโดยพิจารณาจากการเติบโตอย่างรวดเร็วของตลาดอินเดียมฟอสไฟด์ Tongmei Crystal ได้ตกลงที่จะ "จัดลำดับความสำคัญในการตอบสนองความต้องการส่วนเกินของ Casela โดยขึ้นอยู่กับความพร้อมของกำลังการผลิต" และข้อกำหนดและเงื่อนไขจะไม่ด้อยกว่าข้อกำหนดและเงื่อนไขที่มอบให้แก่ลูกค้าในสถานะเดียวกัน ราคาและข้อกำหนดอื่นๆ สำหรับการจัดหาส่วนเกินจะอยู่ภายใต้ข้อตกลงเสริมที่แยกต่างหาก
นอกจากนี้ ผู้ผลิตอุปกรณ์สื่อสารอย่าง Nokia ยังได้ประกาศการขยายโรงงานทดสอบและบรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงที่ตั้งอยู่ในเพนซิลเวเนียอีกด้วย Nokia เปิดตัวชุดโปรเซสเซอร์สัญญาณดิจิทัลและส่วนประกอบทางแสงที่สร้างขึ้นโดยใช้เทคโนโลยีอินเดียมฟอสไฟด์และซิลิคอนโฟโตนิกส์ในเดือนมีนาคมปีนี้
โรงงาน Nokia ที่ตั้งอยู่ในเมืองแอลเลนทาวน์เป็นหนึ่งในฐานไม่กี่แห่งในสหรัฐอเมริกาที่สามารถให้บริการการทดสอบขั้นสูงและการบรรจุชิปโฟโตนิก และรวมไว้ในโมดูลออปติคัลสำหรับใช้ในโครงสร้างพื้นฐาน AI และโทรคมนาคม
บริษัทกำลังเพิ่มกำลังการผลิตของฐานนี้ถึง 10 เท่า พวกเขากำลังติดตั้งอุปกรณ์การผลิตใหม่และขยายพื้นที่โรงงาน กำลังการผลิตใหม่นี้คาดว่าจะเริ่มดำเนินการเชิงพาณิชย์ได้ภายในสิ้นไตรมาสที่สาม
การลงทุนนี้ประกอบด้วยการสนับสนุนประมาณ 30 ล้านดอลลาร์สหรัฐจากโนเกีย เครดิตภาษีของรัฐบาลกลาง 10 ล้านดอลลาร์สหรัฐที่ได้รับจาก "พระราชบัญญัติชิป" และการสนับสนุน 4 ล้านดอลลาร์สหรัฐจากรัฐบาลแห่งรัฐเพนซิลวาเนีย โครงการขยายนี้เป็นส่วนหนึ่งของแผนของโนเกียที่จะลงทุน 4 พันล้านดอลลาร์สหรัฐในด้านการวิจัยและการผลิตในสหรัฐอเมริกา
